BLF6G10LS-200RN:11（NXP 恩智浦，RF场效应管，SOT502B）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：BLF6G10LS-200RN:11

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：871.5MHz ~ 891.5MHz

增益：20dB

电压 - 测试：28V

额定电流：49A

噪声系数：-

电流 - 测试：1.4A

功率 - 输出：40W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：SOT-502B

供应商器件封装：SOT502B

BLF6G10LS-200RN:11，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BLF6G10LS-200RN:11

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B

产品应用分类：RF场效应管

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