BUK625R0-40C,118（NXP 恩智浦，单端场效应管，DPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：BUK625R0-40C,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH TRENCH DPAK

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：90A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：88nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5200pF @ 25V

功率 - 最大值：158W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

BUK625R0-40C,118，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：BUK625R0-40C,118

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET N-CH TRENCH DPAK

产品应用分类：单端场效应管

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