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我们为全球各个行业提供NXP(恩智浦) PEMT1,115及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)
PEMT1,115
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号:PEMT1,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):40V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:SOT-666
  • PEMT1,115,NXP(恩智浦)产品一站式供应商。
  • 只为成为您值得信赖的NXP供应商
    基本参数:
  • 电子零件型号:PEMT1,115
  • 原始制造厂商:NXP(恩智浦)
  • 技术标准参数:TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
  • 产品应用分类:晶体管阵列
  • 点击此处查询PEMT1,115的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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