PHKD13N03LT,118（NXP 恩智浦，场效应管阵列，8-SO）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PHKD13N03LT,118

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.7nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：752pF @ 15V

功率 - 最大值：3.57W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

PHKD13N03LT,118，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PHKD13N03LT,118

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

产品应用分类：场效应管阵列

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