PMDPB42UN,115（NXP 恩智浦，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：PMDPB42UN,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 3.9A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.5nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：185pF @ 10V

功率-最大值：510mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-UDFN

PMDPB42UN,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PMDPB42UN,115

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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