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零件图片（仅供参考）
PMDPB58UPE,115
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号：PMDPB58UPE,115
  • 制造厂家名称：NXP Semiconductors
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.6A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 2A， 4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：804pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：515mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-HUSON（2x2）
  • PMDPB58UPE,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：PMDPB58UPE,115
  • 原始制造厂商：NXP（恩智浦）
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
  • 产品应用分类：场效应管阵列
  • 点击此处查询PMDPB58UPE,115的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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