PMV32UP,215（NXP 恩智浦，单端场效应管，SOT-23）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PMV32UP,215

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：36 毫欧 @ 2.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1890pF @ 10V

功率 - 最大值：510mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23 (TO-236AB)

PMV32UP,215，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PMV32UP,215

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

产品应用分类：单端场效应管

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