PSMN3R0-60ES,127（NXP 恩智浦，单端场效应管，I2PAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

NXP恩智浦完整型号：PSMN3R0-60ES,127

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8079pF @ 30V

功率 - 最大值：306W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

PSMN3R0-60ES,127，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：PSMN3R0-60ES,127

原始制造厂商：NXP（恩智浦）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK

产品应用分类：单端场效应管

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