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零件图片（仅供参考）
PSMN9R1-30YL,115
规格参数
  • NXP恩智浦完整型号：PSMN9R1-30YL,115
  • 制造厂家名称：NXP Semiconductors
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
  • 系列：TrenchMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：57A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.1 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：894pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：52W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
  • 供应商器件封装：LFPAK56， Power-SO8
  • PSMN9R1-30YL,115，NXP（恩智浦）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：PSMN9R1-30YL,115
  • 原始制造厂商：NXP（恩智浦）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询PSMN9R1-30YL,115的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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